若说2025年的科技江湖有什么离奇之事,那必是存储价格的“狂风骤雨”。三星、SK 海力士、美光等巨头集体宣布,DRAM 与 NAND 闪存在第四季度最多涨价三成;而现货市场更是惊涛拍岸,9 月 DRAM 价格同比飙涨近三倍,DDR4 一度贵过 DDR5,形成“旧料胜新贵”的罕见奇局。
这种价格异动,不仅扰乱产业节奏,也让消费者换机时仿佛置身“内存关卡”。旗舰机不同内存版本之间,价差动辄上千元,甚至超过两千元。面对如此溢价,人们不禁追问:究竟是什么力量,将这枚不起眼的“硅片”推到了风口浪尖?
答案可从三条主线溯源:AI 的浪潮、DDR4 的反向涨价、先进制程的成本攀升。
生成式 AI 的爆发犹如疾雷穿空,瞬间点燃了整个存储行业的需求。
大模型训练与推理必须依赖海量高带宽内存。AI 服务器对 DRAM 的需求往往是传统服务器的八倍以上。一台服务器就像一个“内存黑洞”。OpenAI 单月开出的 90 万片晶圆需求,更相当于全球 DRAM 月产能的一半以上。
在这股巨浪之下,存储三巨头纷纷将 DDR4 与 DDR5 的消费级产能挪向 HBM 及服务器 DRAM。有利可图的高端市场成为侧重点,消费端内存的供给自然被挤压。
结果是库存迅速被消耗:
SK 海力士、美光库存仅剩两周
行业平均安全库存为八周
供需的紧绷,注定带来价格的上扬。
理论上,随着 DDR5 逐渐普及,DDR4 应当价格见底。但现实却上演戏剧性的反转。2025 年 DDR4 价格暴涨超过两倍,在某些时段甚至贵过 DDR5。
根本原因在于结构性减产叠加市场恐慌。
随着三星、海力士、美光加速关闭 DDR4 产线,服务器厂商、渠道商担忧未来断供,便集体开始囤货。需求被恐慌性放大,供给却不断萎缩,最终形成价格的反向上涨。
这便是“末代效应”的典型体现:
当产品进入退市周期,其稀缺性反倒成为价值本身。
AI 的需求不仅改变产能分布,也推高了先进工艺的成本。
台积电 2nm 制程的晶圆价格已经突破三万美元一片。成本沿着产业链层层传递,最终叠加到手机厂商的核心部件上。
当前旗舰机普遍采用:
LPDDR5X 高速内存
UFS 4.0 高速闪存
3nm 甚至 2nm 的高端 SoC
其成本本就高昂,再叠加存储涨价,自然进一步扩大了不同内存版本之间的终端价差。千元乃至两千元的内存溢价,已经成为市场常态。
今天的存储涨价,是 AI 时代技术演进的必然结果,也是产业结构重塑的阶段性阵痛。
高端需求暴涨、老产品退场、先进工艺昂贵,这三种力量共同织成了存储价格上涨的漩涡。
当消费者为更大内存付出高成本时,我们更应思考:
技术的飞跃是否应该以普罗大众承受更高价格为代价?
产业升级与大众可及之间,是否能出现新的平衡点?
咨询热线
400-000-8093